Microchip Technology

Diskrete halvlederprodukter av silisiumkarbid

Microchip Technologys diskrete halvlederprodukter av silisiumkarbid har høytemperaturdrift, og forbedrer påliteligheten ved økt effekttetthet

Bilde av diskrete halvlederprodukter med silisiumkarbid fra Microchip TechnologyMicrochip-teknologi halvledere av silisiumkarbid (SiC) gir et innovativt alternativ for kraftelektronikkdesignere som leter etter forbedret systemeffektivitet, mindre formfaktor og høyere driftstemperatur innen industri, transport/bil, medisinsk, romfart/luftfart, forsvar og kommunikasjon. Neste generasjons MOSFET-er og Shottky-dioder av silisiumkarbid (SiC MOSFET-er og SiC SBD-er) er konstruerte med høyere repeterende udempet induktiv vekslingsevne (UIS-evne) ved nominell på-motstand eller strøm. Disse SiC MOSFET-ene opprettholder høy udempet induktiv vekslings-kapasitet (UIS-kapasitet) på omtrent 10 joule til 25 joule per kvadratcentimeter (J/cm2) og robust kortslutningsbeskyttelse. Microchips SiC Schottky-dioder (Schottky-barrieredioder – SBD-er) er utformet med balansert overspenningsstrøm, foroverspenning, termisk motstand og termisk kapasitans ved lav reversstrøm for lavere koblingstap. I tillegg kan platen på SiC MOSFET- og SiC Shottky-dioder sammenpares for bruk i moduler. SiC MOSFET- og SiC Shottky-diode-produkter fra Microchip vil være kvalifisert til AEC-Q101-standarden.

Funksjoner

  • Ekstremt lave koblingstap forbedrer systemets virkningsgrad
  • Høy effekttetthet for mindre fysisk størrelse (fotavtrykk) for å redusere størrelse og vekt
  • 3 ganger mer termisk ledende enn silisium
  • Reduserte krav til vask for å oppnå mindre størrelse og lettere vekt
  • Drift ved høye temperaturer forbedrer påliteligheten ved økt effekttetthet
  • Påvist pålitelighet/robusthet, forsyningskjede og støtte med Microchip-kvalitet, forsyning og støtte

Bruksområder

  • Industrielt: Motordrivere, sveising, UPS-er, SMPS-er, induksjonsvarme
  • Transport/kjøretøyer/biler: batteriladere for elektriske kjøretøy (EV), innebygde ladere, drivlinjer for hybrid elektriske kjøretøy (HEV), DC-DC-omformere, energigjenvinning
  • Smart energi: Fotovoltaiske (PV) omformere, vindturbiner
  • Medisinsk: MR-strømforsyninger, røntgenstrømforsyninger
  • Kommersiell luftfart: Aktivering, klimaanlegg, strømfordeling
  • Forsvar: Motordrivere, eksterne strømforsyninger og integrerte kjøretøysystemer

Diodes - Bridge Rectifiers

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50AMSCDC50X701AGBRIDGE RECT 3PHASE 700V 50A5 - Immediate$817.87Vis detaljer
BRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50AMSCDC50H1701AGBRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50A7 - Immediate$1,534.40Vis detaljer
BRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT227MSC50DC70HJBRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT2277 - Immediate$440.26Vis detaljer
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP60 - Immediate$3,620.84Vis detaljer
BRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6MSCDC200H70AGBRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP62 - Immediate$2,481.87Vis detaljer

Diodes - Rectifiers - Arrays

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227MSC50DC170HJBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT2270 - Immediate$1,359.52Vis detaljer
BRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50AMSCDC50X1701AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50A3 - Immediate$2,172.75Vis detaljer
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP6MSCDC100H120AGBRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP60 - Immediate$2,116.88Vis detaljer
BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50AMSCDC50X1201AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50A5 - Immediate$1,114.83Vis detaljer
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP60 - Immediate$3,620.84Vis detaljer

Diodes - Rectifiers - Single

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3MSC050SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 88A TO247-334 - Immediate$111.79Vis detaljer
DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473MSC050SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 109A TO247381 - Immediate$314.29Vis detaljer
DIODE SIL CARB 700V 60A TO247-3MSC030SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 60A TO247-30 - Immediate$54.51Vis detaljer
DIODE SIL CARB 1200V 65A TO2473MSC030SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 65A TO247324 - Immediate$194.84Vis detaljer
DIODE SIL CARB 1700V 136A TO247MSC050SDA170BDIODE SIL CARB 1700V 136A TO24763 - Immediate$408.07Vis detaljer

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
MOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-PMSCSM70TAM10CTPAGMOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-P0 - Immediate$5,422.31Vis detaljer
MOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120TAM31CT3AGMOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3F3 - Immediate$2,624.70Vis detaljer
MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3FMSCSM70AM07CT3AGMOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F1 - Immediate$2,480.15Vis detaljer
MOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-PMSCSM120TAM11CTPAGMOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-P0 - Immediate$7,367.17Vis detaljer
MOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120HM31CT3AGMOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3F0 - Immediate$1,849.84Vis detaljer

Transistors - FETs, MOSFETs – Single

BildeManufacturer Part NumberBeskrivelseTilgjengelig antall PrisVis detaljer
TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4MSC035SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-430 - Immediate$109.39Vis detaljer
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3114 - Immediate$384.41Vis detaljer
SICFET N-CH 700V 131A TO247-3MSC015SMA070BSICFET N-CH 700V 131A TO247-3138 - Immediate$171.28Vis detaljer
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4MSC080SMA120B4SICFET N-CH 1200V 37A TO247-419 - Immediate$88.51Vis detaljer
SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227MSC70SM120JCU3SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT2277 - Immediate$526.76Vis detaljer
Published: 2021-11-01

Related Videos

What is a Diode? – ATM | DigiKey
What is a Diode? – ATM | DigiKey

Publish Date: 2021-10-04

Related Product Highlight

mSiC™ Discrete MOSFET Series Microchip mSiC™ discrete MOSFET series offers rugged, high-voltage silicon carbide solutions for efficient power conversion.
High-Voltage Auxiliary E-Fuse Reference Design Microchip's auxiliary E-Fuse technology has risk reduction through reliability and accelerated development.
Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes Microsemi announces the release of 1200 V, 10 A, and 20 A SiC Schottky barrier diode products with 30 A and 50 A SiC diodes coming soon.

Related Articles and Blogs

Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency of High-performance Switching Converters Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency
Halvledere med bred båndavstand forvandler transportverdenen Hele transportsektoren gjennomgår en radikal transformasjon med løsninger for el- og hybridbiler og renere massetransport.
Halvledere med bred båndavstand i konstruksjoner for luft- og romfart og satellitter Halvledere med bred båndavstand gir flere fordeler under strømomforming, for eksempel økt effekttetthet og virkningsgrad, og reduserer systemets størrelse og vekt.