100 V GaN-driver LT8418 for halvbro

LT8418 fra ADI er en 100 V GsaN-driver for halvbro som integrerer høyt og lavt drivertrinn, driverlogikkstyring og beskyttelse. Den kan konfigureres til synkrone halvbro- og helbro-topologier eller buck- (senke spenningen), boost- (heve spenningen) og buck-boost-topologier (senke/heve spenningen). LT8418 har en sterk sourcing/sinking-kapasitet med 0,6 Ω pull-up- og 0,2 Ω pull-down-motstand. Den har en integrert smart bootstrap-bryter som genererer en balansert bootstrap-spenning fra V_CC med et minimum av spenningsfall.

LT8418 har delte gate-drivere som justerer inn- og utkoblingshastigheten til GaN FET-er for å undertrykke dempet svingning og optimalisere EMI-ytelsen. Alle driverinnganger og -utganger har en standard lav tilstand for å hindre at GaN FET-er slås på feilaktig. LT8418-, INT- og INB-inngangene er uavhengige og TTL-logikkompatible. Samtidig har LT8418 en rask forplantningsforsinkelse på 10 ns og en utmerket forsinkelse på 1,5 ns mellom høy- og lav-kanalene , noe som gjør den egnet for høyfrekvente DC/DC-omformere, motordrivere og klasse D-lydforsterkere. I tillegg bruker LT8418 WLCSP-kapsling for å minimere parasittinduktansen, noe som muliggjør utstrakt bruk i utrustninger med høy ytelse og høy strømtetthet.

Evalueringskretsen EVAL-LT8418-BZ har LT8418 som driver to 100 V FET-er med forbedret galliumnitrid (eGaN) i en halvbrokonfigurasjon. Kretsen er optimalisert som en buck-omformer (senke spenningen), men kan også brukes som boost-omformer (heve spenningen) eller andre omformertopologier som består av en halvbro. Evalueringskretsen kan levere opptil 10 A med god varmeavledning (varmedistribusjon).