Name: SQS481ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS481ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 19.525 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQS481ENW-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQS481ENW-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQS481ENW-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQS481ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQS481ENW-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Produsentens standard leveringstid	24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 150 V 4,7A (Tc) 62,5W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQS481ENW-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 11 nC @ 10 V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs (maks) ±20V
Serie TrenchFET®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 385 pF @ 75 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 62,5W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type P-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 150 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 4,7A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 1212-8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling PowerPAK® 1212-8
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.095Ohm ved 5A, 10V	Baseproduktnummer SQS481
Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 250µA