Name: SQJQ410EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND
Price: 50.2875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQJQ410EL-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJQ410EL-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQJQ410EL-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQJQ410EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQJQ410EL-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8
Produsentens standard leveringstid	23 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 135A (Tc) 136W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 8 x 8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJQ410EL-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 150 nC @ 10 V
Produsent Vishay Siliconix	Vgs (maks) ±20V
Serie TrenchFET®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 7350 pF @ 25 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 136W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 135A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 8 x 8
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling PowerPAK® 8 x 8
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.4mOhm ved 20A, 10V	Baseproduktnummer SQJQ410
Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 250µA