Name: SQJB00EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB00EP-T1_GE3TR-ND
Price: 23.15 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SQJB00EP-T1_GE3
DigiKeys produktnummer	SQJB00EP-T1_GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SQJB00EP-T1_GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SQJB00EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SQJB00EP-T1_GE3
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Produsentens standard leveringstid	37 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 60V 30A (Tc) 48W Overflatemontering PowerPAK® SO-8 dobbel
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SQJB00EP-T1_GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 35nC ved 10V
Produsent Vishay Siliconix	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1700pF ved 25V
Serie TrenchFET®	Effekt - maks 48W
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Delestatus Aktiv	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Konfigurasjon 2 N-kanal (dobbel)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 60V	Kapsling PowerPAK® SO-8 dobbel
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 30A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® SO-8 dobbel
Rds på (maks) ved Id, Vgs 13mOhm ved 10A, 10V	Baseproduktnummer SQJB00
Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 250µA