Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3TR-ND
Price: 15.7 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SISS23DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISS23DN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SISS23DN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SISS23DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SISS23DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 20 V 50A (Tc) 4,8W (Ta), 57W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS23DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	20 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4.5mOhm ved 20A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id	900mV ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	300 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	8840 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	4,8W (Ta), 57W (Tc)
Driftstemperatur	-50°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® 1212-8S
Kapsling	PowerPAK® 1212-8S
Baseproduktnummer	SISS23