Innstillinger
Rask levering
Gratis frakt
Incoterms
Betalingstyper
Markedsplass-produkt
SI4900DY-T1-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:
Parametrisk ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
SI4900DY-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produsent | |
Produsentens produktnummer | SI4900DY-T1-GE3 |
Beskrivelse | MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC |
Kundereferanse | |
Detaljert beskrivelse | MOSFET-er – matriser 60V 5,3A 3,1W Overflatemontering 8-SOIC |
Datablad | Datablad |
Produktegenskaper
Type | Beskrivelse | Velg alle |
|---|---|---|
Kategori | ||
Produsent | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Emballasje | Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel® | |
Delestatus | Utdatert | |
Teknologi | MOSFET (metalloksid) | |
Konfigurasjon | 2 N-kanal (dobbel) | |
FET-egenskap | Logikknivåport | |
Drain til Source-spenning | 60V | |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | 5,3A | |
Rds på (maks) ved Id, Vgs | 58mOhm ved 4.3A, 10V | |
Vgs(th) (maks) ved Id | 3V ved 250µA | |
Vgs Gate-lading (Qg) (maks) | 20nC ved 10V | |
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds | 665pF ved 15V | |
Effekt - maks | 3,1W | |
Driftstemperatur | -55°C – 150°C (TJ) | |
Monteringstype | Overflatemontering | |
Kapsling | 8-SOIC (0,154", 3,90mm bredde) | |
Leverandørens enhetsforpakning | 8-SOIC | |
Baseproduktnummer |
Utfaset
Norge