Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 17.4625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

TPN1600ANH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPN1600ANHL1QTR-ND - Tape og spole (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Båndavsnitt (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Produsentens produktnummer	TPN1600ANH,L1Q
Beskrivelse	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Overflatemontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN1600ANH,L1Q Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	17A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	16mOhm ved 8.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 200µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	19 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1600 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Driftstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Kapsling	8-PowerVDFN
Baseproduktnummer	TPN1600