Name: GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Price: 1707.0375 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

GCMX010A120B3H1P
DigiKeys produktnummer	1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Produsent	SemiQ
Produsentens produktnummer	GCMX010A120B3H1P
Beskrivelse	1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Chassismontering
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	SemiQ
Serie	QSiC™
Emballasje	Boks
Delestatus	Aktiv
Teknologi	Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon	4 N-kanal (helbro)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	201A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	14mOhm ved 100A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 40mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	428nC ved 20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	10900pF ved 800V
Effekt - maks	600W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Chassismontering
Kapsling	Modul
Leverandørens enhetsforpakning	-