MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Chassismontering
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

GCMX010A120B3H1P

DigiKeys produktnummer
1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
GCMX010A120B3H1P
Beskrivelse
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Chassismontering
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Filtrer lignende produkter
Vis tomme egenskaper
Kategori
Rds på (maks) ved Id, Vgs
14mOhm ved 100A, 20V
Produsent
SemiQ
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 40mA
Serie
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
428nC ved 20V
Emballasje
Boks
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
10900pF ved 800V
Delestatus
Aktiv
Effekt - maks
600W (Tc)
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Driftstemperatur
-40°C – 175°C (TJ)
Konfigurasjon
4 N-kanal (helbro)
Monteringstype
Chassismontering
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Kapsling
Modul
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
201A (Tc)
Miljø- og eksportklassifiseringer
Spørsmål og svar om produktet
Ytterligere resurser
På lager: 15
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Boks
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 1 360,07000kr 1 360,07
10kr 1 113,28100kr 11 132,81
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 1 360,07000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 1 700,08750