SCT2H12NYTB er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Rohm Semiconductor
På lager: 625
Enhetspris : kr 53,68000
Datablad
N-kanal 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Overflatemontering TO-268
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Overflatemontering TO-268
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

SCT2H12NYTB

DigiKeys produktnummer
SCT2H12NYTBTR-ND - Tape og spole (TR)
SCT2H12NYTBCT-ND - Båndavsnitt (CT)
SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
SCT2H12NYTB
Beskrivelse
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Overflatemontering TO-268
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCT2H12NYTB Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
1700 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1.5Ohm ved 1.1A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 410µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
14 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -6V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
184 pF @ 800 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
44W (Tc)
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-268
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.