Name: SCT2H12NWBTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-SCT2H12NWBTL1TR-ND
Price: 69.8125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SCT2H12NWBTL1
DigiKeys produktnummer	846-SCT2H12NWBTL1TR-ND - Tape og spole (TR) 846-SCT2H12NWBTL1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 846-SCT2H12NWBTL1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	SCT2H12NWBTL1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Produsentens standard leveringstid	23 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1700 V 3,9A (Tc) 39W (Tc) Overflatemontering TO-263CA-7LSHYAD
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 410µA
Produsent Rohm Semiconductor	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 24 nC @ 18 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) +22V, -6V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 197 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 39W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 1700 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 3,9A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning TO-263CA-7LSHYAD
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 18V	Kapsling TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.5Ohm ved 1.1A, 18V