Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 94.375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

NTMTSC1D6N10MCTXG
DigiKeys produktnummer	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Tape og spole (TR) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Båndavsnitt (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	NTMTSC1D6N10MCTXG
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Produsentens standard leveringstid	45 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Overflatemontering, Fuktbar side 8-TDFNW (8,3x8,4)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	NTMTSC1D6N10MCTXG Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 106 nC @ 10 V
Produsent onsemi	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 7630 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 5,1W (Ta), 291W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering, Fuktbar side
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning 8-TDFNW (8,3x8,4)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 1,7mOhm ved 90A, 10V	Baseproduktnummer NTMTSC1
Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 650µA