Name: FQD11P06TM
Brand: onsemi
SKU: FQD11P06TMTR-ND
Price: 20.9375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FQD11P06TM
DigiKeys produktnummer	FQD11P06TMTR-ND - Tape og spole (TR) FQD11P06TMCT-ND - Båndavsnitt (CT) FQD11P06TMDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FQD11P06TM
Beskrivelse	MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
Produsentens standard leveringstid	13 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 60 V 9,4A (Tc) 2,5W (Ta), 38W (Tc) Overflatemontering TO-252AA
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	FQD11P06TM Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Produsent onsemi	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 17 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (maks) ±30V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 550 pF @ 25 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 38W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 60 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-252AA
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 9,4A (Tc)	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer FQD11P06
Rds på (maks) ved Id, Vgs 185mOhm ved 4.7A, 10V