FQB33N10LTM onsemi | Diskrete halvlederprodukter

FQB33N10LTM er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

onsemi

På lager: 190

Enhetspris : kr 75,78000

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 144

Enhetspris : kr 20,91000

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 2 358

Enhetspris : kr 26,33000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 0

Enhetspris : kr 33,17000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FQB33N10LTM
DigiKeys produktnummer	FQB33N10LTMTR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FQB33N10LTM
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 33A (Tc) 3,75W (Ta), 127W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	onsemi
Serie	QFET®
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	33A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	52mOhm ved 16.5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	40 nC @ 5 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1630 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,75W (Ta), 127W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-263 (D2PAK)
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	FQB33N10