Name: FDB3632
Brand: onsemi
SKU: FDB3632TR-ND
Price: 51.6875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FDB3632
DigiKeys produktnummer	FDB3632TR-ND - Tape og spole (TR) FDB3632CT-ND - Båndavsnitt (CT) FDB3632DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FDB3632
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	41 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	FDB3632 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 250µA
Produsent onsemi	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 110 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6000 pF @ 25 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 310W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-263 (D2PAK)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Baseproduktnummer FDB363
Rds på (maks) ved Id, Vgs 9mOhm ved 80A, 10V