FDB029N06
DigiKeys produktnummer	FDB029N06TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	onsemi
Produsentens produktnummer	FDB029N06
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4.5V ved 250µA
Produsent onsemi	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 151 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR)	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 9815 pF @ 25 V
Delestatus Utdatert	Effekttap (maks) 231W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 60 V	Leverandørens enhetsforpakning TO-263 (D2PAK)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 120A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer FDB029
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.1mOhm ved 75A, 10V

Delenummer	Produsent	Antall tilgjengelig	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Type erstatning
NTBGS2D5N06C	onsemi	796	488-NTBGS2D5N06CCT-ND	kr 62,87000	MFR Recommended
AOB266L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1328-2-ND	kr 11,79189	Similar
IPB029N06N3GATMA1	Infineon Technologies	3 461	IPB029N06N3GATMA1CT-ND	kr 33,96000	Similar
IPB037N06N3GATMA1	Infineon Technologies	3 727	IPB037N06N3GATMA1CT-ND	kr 30,69000	Similar
IPB120N06S403ATMA2	Infineon Technologies	1 000	448-IPB120N06S403ATMA2CT-ND	kr 41,07000	Similar

FDB029N06

Other Suppliers on DigiKey