Name: IPB120N06S403ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB120N06S403ATMA2TR-ND
Price: 44.1 NOK
Availability: OutOfStock

IPB120N06S403ATMA2 er ikke på lager og kan bestilles/legges inn som restordrenotering.

Tilgjengelige erstatninger:

Direkte

onsemi

På lager: 147

Enhetspris : kr 37,79000

Similar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

På lager: 0

Enhetspris : kr 10,91614

Similar

Nexperia USA Inc.

På lager: 0

Enhetspris : kr 12,09387

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB120N06S403ATMA2
DigiKeys produktnummer	448-IPB120N06S403ATMA2TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPB120N06S403ATMA2CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPB120N06S403ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB120N06S403ATMA2
Beskrivelse	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 120A (Tc) 167W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB120N06S403ATMA2 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	120A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	3.2mOhm ved 100A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 120µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	160 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	13150 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	167W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3-2
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB120