Name: NV6029
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6029TR-ND
Price: 157.175 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

NV6029
DigiKeys produktnummer	1913-NV6029TR-ND - Tape og spole (TR) 1913-NV6029CT-ND - Båndavsnitt (CT) 1913-NV6029DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Navitas Semiconductor, Inc.
Produsentens produktnummer	NV6029
Beskrivelse	GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 800 V 30A (Tc) 135W (Tc) Overflatemontering 8-PDFN (8x8)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 70mOhm ved 12A, 6V
Produsent Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) (maks) ved Id 2,8V ved 24mA
Serie GaNFast™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 8 nC @ 6 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) +7V, -10V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 227 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 135W (Tc)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Driftstemperatur -55°C – 150°C
Drain til Source-spenning 800 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 30A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning 8-PDFN (8x8)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V	Kapsling 8-VDFN-eksponert plate