Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 56.0125 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SPB80P06PGATMA1
DigiKeys produktnummer	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	SPB80P06PGATMA1
Beskrivelse	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Produsentens standard leveringstid	17 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SPB80P06PGATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 173 nC @ 10 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) ±20V
Serie SIPMOS®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5033 pF @ 25 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 340W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type P-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 60 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 80A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3-2
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Rds på (maks) ved Id, Vgs 23mOhm ved 64A, 10V	Baseproduktnummer SPB80P06
Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 5.5mA