Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 40.225 NOK
Availability: InStock

N-kanal 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8 FL

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Beskrivelse	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 10A (Ta), 63A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8 FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 11,3mOhm ved 20A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 3,9V ved 36µA
Serie OptiMOS™ 5	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 29 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2300 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 10A (Ta), 63A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSDSON-8 FL
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling 8-PowerTDFN