Name: ISG0614N06NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 66.2125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

ISG0614N06NM5HSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISG0614N06NM5HSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISG0614N06NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISG0614N06NM5HSCATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 60V 31A (Ta), 233A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Overflatemontering PG-WHITFN-10-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISG0614N06NM5HSCATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	60V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	31A (Ta), 233A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.6mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3,3V ved 86µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	102nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6400pF ved 30V
Effekt - maks	3W (Ta), 167W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	10-PowerWDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-WHITFN-10-1