Name: ISG0613N04NM6HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND
Price: 55.7875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

ISG0613N04NM6HATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISG0613N04NM6HATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Overflatemontering PG-VITFN-10-1
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	40V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	42A (Ta), 299A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0,88mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2,8V ved 780µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	104nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6200pF ved 20V
Effekt - maks	3W (Ta), 167W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	10-PowerVDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-VITFN-10-1