Name: ISC058N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 13.95 NOK
Availability: InStock

ISC058N04NM5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-ISC058N04NM5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-ISC058N04NM5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-ISC058N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	ISC058N04NM5ATMA1
Beskrivelse	40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 17A (Ta), 63A (Tc) 3W (Ta), 42W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8 FL
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	ISC058N04NM5ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	17A (Ta), 63A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	5,8mOhm ved 31A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.4V ved 13µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	16 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1100 pF @ 20 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3W (Ta), 42W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8 FL
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	ISC058N

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 11,16000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 13,95000

ISC058N04NM5ATMA1