Name: IQE013N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 39.45 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IQE013N04LM6SCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE013N04LM6SCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE013N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE013N04LM6SCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Produsentens standard leveringstid	52 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Overflatemontering PG-WHSON-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE013N04LM6SCATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	31A (Ta), 205A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.35mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 51µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	41 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3800 pF @ 20 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 107W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-WHSON-8-1
Kapsling	8-PowerWDFN

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 31,56000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 39,45000

IQE013N04LM6SCATMA1