Name: IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND
Price: 58.7 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-U02

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQDH45N04LM6CGSCATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQDH45N04LM6CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQDH45N04LM6CGSCATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 58A (Ta), 611A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflatemontering PG-WHTFN-9-U02
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 0,49mOhm ved 50A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2,3V ved 1,449mA
Serie OptiMOS™ 6	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 78 nC @ 4.5 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 12000 pF @ 20 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 3W (Ta), 333W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 40 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 58A (Ta), 611A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-WHTFN-9-U02
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling 9-PowerWDFN