Name: IQDH45N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 37.65 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflatemontering PG-TTFN-9-U02

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQDH45N04LM6CGATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQDH45N04LM6CGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQDH45N04LM6CGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQDH45N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQDH45N04LM6CGATMA1
Beskrivelse	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 60A (Ta), 637A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Overflatemontering PG-TTFN-9-U02
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQDH45N04LM6CGATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2,3V ved 1,449mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 129 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 12000 pF @ 20 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 3W (Ta), 333W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 40 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TTFN-9-U02
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 60A (Ta), 637A (Tc)	Kapsling 9-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer IQDH45
Rds på (maks) ved Id, Vgs 0.45mOhm ved 50A, 10V