IPTG111N20NM3FDATMA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPTG111N20NM3FDATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPTG111N20NM3FDATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPTG111N20NM3FDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPTG111N20NM3FDATMA1
Beskrivelse	TRENCH >=100V PG-HSOG-8
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 200 V 10,8A (Ta), 108A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Overflatemontering PG-HSOG-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPTG111N20NM3FDATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 3
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Ikke lenger tilgjengelig hos Digi-Key
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	10,8A (Ta), 108A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	11.1mOhm ved 96A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 267µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	81 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	7000 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HSOG-8-1
Kapsling	8-PowerSMD, måkevinge
Baseproduktnummer	IPTG111N