Name: IPN95R3K7P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND
Price: 15.2 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPN95R3K7P7ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPN95R3K7P7ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPN95R3K7P7ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPN95R3K7P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPN95R3K7P7ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 950 V 2A (Tc) 6W (Tc) Overflatemontering PG-SOT223
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPN95R3K7P7ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 40µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 6 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 196 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 6W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 950 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-SOT223
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 2A (Tc)	Kapsling TO-261-4, TO-261AA
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Baseproduktnummer IPN95R3
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.7Ohm ved 800mA, 10V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 2 001

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)