Name: IPD60N10S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND
Price: 27.175 NOK
Availability: InStock

IPD60N10S412ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD60N10S412ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3-313
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD60N10S412ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	12.2mOhm ved 60A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 46µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	34 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2470 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	94W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO252-3-313
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	IPD60N10

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
2 500	kr 5,45892	kr 13 647,30
5 000	kr 5,25176	kr 26 258,80

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 21,74000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 27,17500

IPD60N10S412ATMA1