Name: IPD50N04S4L08ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N04S4L08ATMA1TR-ND
Price: 15.325 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD50N04S4L08ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD50N04S4L08ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPD50N04S4L08ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPD50N04S4L08ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD50N04S4L08ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 40 V 50A (Tc) 46W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3-313
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD50N04S4L08ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7.3mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 17µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	30 nC @ 10 V
Vgs (maks)	+20V, -16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2340 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	46W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO252-3-313
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	IPD50