Name: IPD50P04P4L11ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50P04P4L11ATMA2TR-ND
Price: 21.8625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD50P04P4L11ATMA2
DigiKeys produktnummer	448-IPD50P04P4L11ATMA2TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPD50P04P4L11ATMA2CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPD50P04P4L11ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD50P04P4L11ATMA2
Beskrivelse	MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3-313
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD50P04P4L11ATMA2 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ P2
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	40 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	10.6mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 85µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	59 nC @ 10 V
Vgs (maks)	+5V, -16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	3900 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	58W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO252-3-313
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	IPD50