Name: IPD200N15N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD200N15N3GATMA1TR-ND
Price: 35.7875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD200N15N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD200N15N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPD200N15N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPD200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD200N15N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD200N15N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 90µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 31 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1820 pF @ 75 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 150W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 150 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO252-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 50A (Tc)	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 8V, 10V	Baseproduktnummer IPD200
Rds på (maks) ved Id, Vgs 20mOhm ved 50A, 10V