Name: IPD180N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD180N10N3GATMA1TR-ND
Price: 21.1625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD180N10N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPD180N10N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPD180N10N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPD180N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPD180N10N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
Produsentens standard leveringstid	19 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPD180N10N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 33µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 25 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1800 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 71W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO252-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 43A (Tc)	Kapsling TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Baseproduktnummer IPD180
Rds på (maks) ved Id, Vgs 18mOhm ved 33A, 10V