IPB200N15N3GATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 25 765
Enhetspris : kr 39,73000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 28
Enhetspris : kr 22,13000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 796
Enhetspris : kr 55,13000
Datablad
N-kanal 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB200N15N3GATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB200N15N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
IPB200N15N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
IPB200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB200N15N3GATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB200N15N3GATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
150 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
8V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
20mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 90µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1820 pF @ 75 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.