IPB083N10N3GATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 38
Enhetspris : kr 23,09000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 1 035
Enhetspris : kr 34,54000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 11 253
Enhetspris : kr 29,82000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 6 564
Enhetspris : kr 35,79000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhetspris : kr 10,17520
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 522
Enhetspris : kr 39,73000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 0
Enhetspris : kr 23,58410
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 983
Enhetspris : kr 60,90000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 53
Enhetspris : kr 54,07000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 0
Enhetspris : kr 22,83016
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 0
Enhetspris : kr 31,94000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 800
Enhetspris : kr 24,34000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
På lager: 5 321
Enhetspris : kr 29,63000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 639
Enhetspris : kr 29,34000
Datablad
N-kanal 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB083N10N3GATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB083N10N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
IPB083N10N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
IPB083N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB083N10N3GATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB083N10N3GATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
8.3mOhm ved 73A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3.5V ved 75µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
55 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
3980 pF @ 50 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.