Name: IPB027N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB027N10N3GATMA1TR-ND
Price: 67.3625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPB027N10N3GATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB027N10N3GATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB027N10N3GATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB027N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB027N10N3GATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	17 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPB027N10N3GATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 3.5V ved 275µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 206 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 14800 pF @ 50 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 300W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 155°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 100 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-3
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 120A (Tc)	Kapsling TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 6V, 10V	Baseproduktnummer IPB027
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.7mOhm ved 100A, 10V