IPA50R299CPXKSA1 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

IPA50R299CPXKSA1 er utfaset og produseres ikke lenger.

Tilgjengelige erstatninger:

Direkte

Vishay Siliconix

På lager: 0

Enhetspris : kr 31,16000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 409

Enhetspris : kr 27,44000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 903

Enhetspris : kr 48,04000

Similar

STMicroelectronics

På lager: 980

Enhetspris : kr 54,68000

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

På lager: 99

Enhetspris : kr 36,18000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPA50R299CPXKSA1
DigiKeys produktnummer	IPA50R299CPXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPA50R299CPXKSA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 550 V 12A (Tc) 104W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO220-3-31
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Emballasje	Rør
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	550 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	12A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	299mOhm ved 6.6A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.5V ved 440µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	31 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1190 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	104W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO220-3-31
Kapsling	TO-220-3 full pakke
Baseproduktnummer	IPA50R