Name: IMZ120R090M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZ120R090M1HXKSA1-ND
Price: 109.55 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMZ120R090M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMZ120R090M1HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMZ120R090M1HXKSA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMZ120R090M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	26A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	117mOhm ved 8,5A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,7V ved 3,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	21 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	707 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	115W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO247-4-1
Kapsling	TO-247-4
Baseproduktnummer	IMZ120

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 858

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 87,64000	kr 87,64
30	kr 51,35400	kr 1 540,62
120	kr 43,39767	kr 5 207,72
510	kr 40,17010	kr 20 486,75

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.