Name: IMW65R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Price: 158.575 NOK
Availability: InStock

N-kanal 650 V 53A (Tc) 194W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-40

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMW65R033M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW65R033M2HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMW65R033M2HXKSA1
Beskrivelse	IMW65R033M2HXKSA1
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 53A (Tc) 194W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-40
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMW65R033M2HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 30mOhm ved 27,9A, 20V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 5,7mA
Serie CoolSiC™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 34 nC @ 18 V
Emballasje Rør	Vgs (maks) +23V, -7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 1214 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 194W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Gjennomgående hull
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 53A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO247-3-40
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Kapsling TO-247-3

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 474

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 126,86000	kr 126,86
30	kr 75,57833	kr 2 267,35
120	kr 64,32783	kr 7 719,34
510	kr 56,08888	kr 28 605,33
1 020	kr 53,08519	kr 54 146,89

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.