Name: IMW65R020M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND
Price: 207.3375 NOK
Availability: OutOfStock

N-kanal 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-40

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMW65R020M2HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMW65R020M2HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMW65R020M2HXKSA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-40
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 9,5mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 57 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (maks) +23V, -7V
Emballasje Rør	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2038 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 273W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Monteringstype Gjennomgående hull
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO247-3-40
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 83A (Tc)	Kapsling TO-247-3
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Baseproduktnummer IMW65R020
Rds på (maks) ved Id, Vgs 18mOhm ved 46,9A, 20V

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 0

Kontroller leveringstid

Be om lagervarsel

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 165,87000	kr 165,87
30	kr 101,09633	kr 3 032,89
120	kr 86,91850	kr 10 430,22
510	kr 76,53865	kr 39 034,71
1 020	kr 72,75543	kr 74 210,54

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.