IMW65R030M1HXKSA1
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMW65R030M1HXKSA1

DigiKeys produktnummer
448-IMW65R030M1HXKSA1-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
IMW65R030M1HXKSA1
Beskrivelse
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Produsentens standard leveringstid
8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 58A (Tc) 197W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-3-41
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IMW65R030M1HXKSA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
42mOhm ved 29,5A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5,7V ved 8,8mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
48 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+20V, -2V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1643 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
197W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO247-3-41
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 70
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 118,00000kr 118,00
30kr 70,98367kr 2 129,51
120kr 60,66867kr 7 280,24
510kr 59,39884kr 30 293,41
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 118,00000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 147,50000