Name: IMBG65R010M2H
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HTR-ND
Price: 278.1625 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMBG65R010M2H
DigiKeys produktnummer	448-IMBG65R010M2HTR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG65R010M2HCT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG65R010M2HDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMBG65R010M2H
Beskrivelse	IMBG65R010M2H
Produsentens standard leveringstid	13 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	158A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	9,1mOhm ved 92,1A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,6V ved 18,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	112 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4001 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	535W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-7-12
Kapsling	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 177

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®