PG-TO263-7-12
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R017M2HXTMA1

DigiKeys produktnummer
448-IMBG120R017M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
448-IMBG120R017M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT)
448-IMBG120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Infineon Technologies
Produsentens produktnummer
IMBG120R017M2HXTMA1
Beskrivelse
SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Produsentens standard leveringstid
26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 107A (Tc) 470W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™ G2
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
107A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
17,1mOhm ved 40,4A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5,1V ved 12,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
89 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+23V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2910 pF @ 800 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
470W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-7-12
Kapsling
TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Baseproduktnummer
IMBG120R017
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 1 369
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 180,52000kr 180,52
10kr 128,46200kr 1 284,62
100kr 121,11050kr 12 111,05
* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)
Tape og spole (TR)
Antall Enhetspris Utvidet pris
1 000kr 98,94616kr 98 946,16
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 180,52000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 225,65000
10 Varer
IMBG120R008M2HXTMA1

IMBG120R008M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 189A TO263

Infineon Technologies

kr 325,55000
IMBG120R012M2HXTMA1

IMBG120R012M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 144A TO263

Infineon Technologies

kr 240,52000
IMBG120R026M2HXTMA1

IMBG120R026M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 75A TO263

Infineon Technologies

kr 129,26000
XPQR8308QB,LXHQ

XPQR8308QB,LXHQ

80V UMOS10 L-TOGL 0.83MOHM

Toshiba Semiconductor and Storage

kr 58,60000
ER3M

ER3M

DIODE STANDARD 1000V 3A DO214AB

Diotec Semiconductor

kr 6,13000
APV3111GVY

APV3111GVY

OPTOISO 1.5KV 1CH PHVOLT 4-SSOP

Panasonic Electric Works

kr 59,40000
1000B-5002X

1000B-5002X

XFMR MODULE SNGL 1GB SMT PBC

iNRCORE, LLC

kr 403,45000
PFE500F-28

PFE500F-28

AC/DC CONVERTER 28V 500W

TDK-Lambda

kr 3 980,90000
IMBG120R053M2HXTMA1

IMBG120R053M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 41A TO263

Infineon Technologies

kr 86,84000
IMBG120R022M2HXTMA1

IMBG120R022M2HXTMA1

SICFET N-CH 1200V 87A TO263

Infineon Technologies

kr 151,07000