Name: IMBG120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 263.2375 NOK
Availability: InStock

N-kanal 1200 V 107A (Tc) 470W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMBG120R017M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG120R017M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG120R017M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMBG120R017M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 107A TO263
Produsentens standard leveringstid	54 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 107A (Tc) 470W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 5,1V ved 12,7mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 89 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ G2	Vgs (maks) +23V, -10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 2910 pF @ 800 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 470W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 1200 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-7-12
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 107A (Tc)	Kapsling TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 18V	Baseproduktnummer IMBG120R017
Rds på (maks) ved Id, Vgs 17,1mOhm ved 40,4A, 18V