Name: IGT65R045D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R045D2ATMA1TR-ND
Price: 105.95 NOK
Availability: InStock

IGT65R045D2ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGT65R045D2ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGT65R045D2ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGT65R045D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGT65R045D2ATMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 38A 8PSFN
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 38A (Tc) 131W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGT65R045D2ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	38A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	-
Rds på (maks) ved Id, Vgs	54mOhm @ 10A
Vgs(th) (maks) ved Id	1,6V ved 3,3mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	6 nC @ 3 V
Vgs (maks)	-10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	430 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	131W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HSOF-8
Kapsling	8-PowerSFN

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 84,76000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 105,95000

IGT65R045D2ATMA1