Name: IGT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND
Price: 125.125 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IGT65R035D2ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGT65R035D2ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGT65R035D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGT65R035D2ATMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 49A 8PSFN
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 49A (Tc) 167W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGT65R035D2ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1,6V ved 4,2mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 7.7 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (maks) -10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 540 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 167W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOF-8
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 49A (Tc)	Kapsling 8-PowerSFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 42mOhm @ 13A