Name: IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND
Price: 69 NOK
Availability: InStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IGL65R080D2XUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGL65R080D2XUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGL65R080D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGL65R080D2XUMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 18A 8TDFN
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 18A (Tc) 81W (Tc) Overflatemontering, Fuktbar side PG-TSON-8-U06
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1,6V ved 1,8mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (maks) -10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 240 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 81W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Monteringstype Overflatemontering, Fuktbar side
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSON-8-U06
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 18A (Tc)	Kapsling 8-TDFN-eksponert plate
Rds på (maks) ved Id, Vgs 70mOhm @ 5,5A