Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 71.3625 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IGLD65R080D2AUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGLD65R080D2AUMA1
Beskrivelse	HV GAN DISCRETES
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 18A (Tc) 68W (Tc) Overflatemontering PG-LSON-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGLD65R080D2AUMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™ G5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	18A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	-
Rds på (maks) ved Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks) ved Id	1,6V ved 1,8mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	3.3 nC @ 3 V
Vgs (maks)	-10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	240 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	68W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-LSON-8-2
Kapsling	8-LDFN-eksponert plate

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 57,09000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 71,36250

IGLD65R080D2AUMA1