Name: IGLD65R080D2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND
Price: 83.025 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IGLD65R080D2AUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGLD65R080D2AUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGLD65R080D2AUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGLD65R080D2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGLD65R080D2AUMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 650V 18A 8LDFN
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 18A (Tc) 68W (Tc) Overflatemontering PG-LSON-8-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGLD65R080D2AUMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1,6V ved 1,8mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (maks) -10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 240 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 68W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-LSON-8-2
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 18A (Tc)	Kapsling 8-LDFN-eksponert plate
Rds på (maks) ved Id, Vgs 100mOhm @ 5,5A