Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 32.8625 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IGB110S10S1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGB110S10S1XTMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Produsentens standard leveringstid	25 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 9A (Ta), 23A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-4-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGB110S10S1XTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 11mOhm ved 10A, 5V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2,9V ved 3mA
Serie CoolGaN™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 3.4 nC @ 5 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±6,5V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 340 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Driftstemperatur -40°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 9A (Ta), 23A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSON-4-2
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 5V	Kapsling 4-PowerTDFN