Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 46.075 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IGB070S10S1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGB070S10S1XTMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 13A (Ta), 38A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-4-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGB070S10S1XTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 7mOhm ved 13A, 5V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2,9V ved 4,5mA
Serie CoolGaN™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 7.9 nC @ 5 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±6,5V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 740 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,6W (Ta), 23W (Tc)
Teknologi GaNFET (Galliumnitrid)	Driftstemperatur -40°C – 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 13A (Ta), 38A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TSON-4-2
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 5V	Kapsling 4-PowerTDFN