Name: IGB070S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND
Price: 38 NOK
Availability: InStock

IGB070S10S1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IGB070S10S1XTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGB070S10S1XTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IGB070S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGB070S10S1XTMA1
Beskrivelse	GANFET N-CH 100V 13A 4TDFN
Produsentens standard leveringstid	27 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 13A (Ta), 38A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-4-2
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGB070S10S1XTMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	13A (Ta), 38A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	7mOhm ved 13A, 5V
Vgs(th) (maks) ved Id	2,9V ved 4,5mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	7.9 nC @ 5 V
Vgs (maks)	±6,5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	740 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Driftstemperatur	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSON-4-2
Kapsling	4-PowerTDFN

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 30,40000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 38,00000

IGB070S10S1XTMA1